2018年8月6日 星期一

聯電(2303)昨(6)日與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布成為合作夥伴

聯電(2303)昨(6)日與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布成為合作夥伴,共同開發和生產取代嵌入式記憶體的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。聯電也將透過Avalanche的授權,提供技術給其他公司。
聯電根據合作協議,於28奈米CMOS製程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊,供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM記憶體模組整合至應用產品,鎖定物聯網、穿戴裝置、消費型產品,以及工業、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統單晶片(SoC)。
聯電先進技術處副總洪圭鈞表示,聯電持續精進製程技術,以提升客戶競爭優勢。嵌入式非揮發性記憶體NVM解決方案在目前的晶片設計界日趨普及,如新興消費和車用電子應用,建立強大且堅實的嵌入式非揮發性記憶體解決方案組合。
兩家公司考慮將合作範疇擴展至28奈米以下的製程技術,利用Avalanche在CMOS技術的相容及可擴充特性,運用到各個先進製程。使這些統一記憶體(非揮發性及靜態隨機存取記憶體SRAM)能順利移轉調配到下一世代的高整合性的MCU和SoC上。

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